今天给大家介绍的是：一、H桥电路
非常简单的桥式电路为
如果两个分支之间没有电桥，中点的电位取决于电阻值的比率。如果 R1 :R2 等于 R3 : R4 ，即使没有电桥，电势差也为零。
(资料图片仅供参考)
H桥电路
二、惠斯通电桥两个恒定电阻（R1和R3）电位计和未知电阻形成电路的2条支路，并通过电压表或者电流表桥接。只要左侧的电路之比等于右侧的电阻，电桥两点之间的电路以及流过路径的电流就为0。当使用电压表时，改变电位计直到2个中点之间的电压降为0。
而当使用电流表时，则没有电流流过仪器。电位器滑动触点的位置与未知电阻的阻值之间存在线性关系。因此可以校准电位器的刻度，便于读取未知电阻的阻值。
惠斯通电桥
三、2个电位器组成的H桥当X1和X2分别接地，将 X3和X4连接到正电源电压时，T2和T3的电阻处于最大值，而T1和T4的电阻处于最小值。
结果电路
如果X1和X2连接到正电源电压，同时X3和X4连接到地，情况会发生变化。
X1和X2连接到正电源电压，同时X3和X4连接到地
将所有4个输入钳位连接到地时，上方的PNP晶体管导通，而下方的NPN晶体管关闭。
4个输入钳位连接到地
将所有4个输入钳位连接到电源电压的正极端子时，上方的PNP晶体管关断，而下方的NPN晶体管导通，负载两个钳位处的电位几乎等于负电源电压，因此也没有电流流过负载。
4个输入钳位连接到电源电压的正极端子
2个输入钳位
如果2个晶体管的基极引脚通过串联连接到正极端子，因此输入端有一个高信号， 如果半桥的两个输入都连接到负端子，则上方的NPN类型将打开，下方的NPN类型将关闭。电流从上部电池的正极端子流过晶体管T1，现在从左向右流过负载，然后返回电池的负极端子。使用半桥的优点时所需晶体管数量少，缺点是电源更复杂。 半桥的2个输入连接到负端子 六、MOS管组成的H桥电路当 每当X1处的电压从正电源电压变为0V时，C1就会通过R1缓慢充电，因此T1的导通过程倍延迟，相反，C2通过正向偏置D2快速放电，因此T2几乎没有延迟地关闭。R5和R6是下拉电阻。 由曲线性RC电阻实现的开启延迟 两个线性RC电路（每个电路由47KΩ电阻和1nF电容组成）延迟MOS管的开启过程 七、脉宽调制H桥如果正电源电压连接到X1，则T1被关闭，直到脉冲宽度信号也处于高电平时，T2才会接通。如果其中一个钳位接地，T2将关闭，因为D1和D2或者2者正向偏置，拉动T2的栅极接地。另一方面，如果X1处于低电平，则即使脉冲宽度信号也是如此。利用X1和X2，可以控制负载两端电压的极性，而功率控制则通过第3个输入钳位处的脉冲宽度信号来完成。 二极管形成一个与门。每当改变极性时，如果脉宽信号处于高电平，就会发生击穿， 八、电压电平转换H桥当H桥在12V输入电压下运行时，输入钳位的高电平必须为12V，例如：计算机仅提供5V或者3.3V的输出电压，解决问题的办法是 九、反激二极管H桥反激二极管可以用于最大限度地减少感性负载引起的失真。这些二极管必须与负载相连，但极性相反。当使用H桥控制负载时，极性可以改变，因此二极管将变得正向偏置，为了避免这种清理，需要4个二极管才能在单个开关上产生单个反击二极管所需的效果： 反激二极管H桥-4个二极管 如果感应电压的正电位位于负载左侧，则流经 D5 和 D8 的电流将消除电压尖峰。反之亦然，如果正电势在右侧，负电势在左侧，则电流流经 D6 和 D7。二极管的最大电流不应低于 MOS管的最大漏极电流。 正向偏置肖特基二极管的电压降（0.15-0.45V）低于硅类型二极管（0.6-1.7V），因此器件消耗的功率明显较低。 上面H桥电路的元件： T1、T3 = P 沟道 MOSFET IRF9Z34N T2、T4 = N 沟道 MOSFET IRLZ24N T5 - T7 = N 沟道 MOSFET 2N7000 R1 - R8 = 12kΩ D1 - D4 = 低功耗硅二极管 D5 - D8 = 肖特基二极管 例如 SB2040 电路可以在5-12V的电源电压下工作。输入钳位处的电压电平应高于 3V。当晶体管在没有散热器的情况下运行时，通过负载的电流应低于 5A。 十、控制简单当移除X2处的下拉电阻并将这些输入钳位连接到T5的漏极引脚（T5是用于放大X1信号的MOS管）时，两个输入引脚可以控制H桥。 X1控制H桥的极性：正极在负载左侧，X1接高电平，正极在右侧，X1接低电平等级。第二个引脚是脉宽信号，用于控制提供负载的功率。 H桥的输入钳位越少，控制设备所需的计算机或者微控制器的输出钳位就越少。缺点是灵活性较低。 移除X2处的下拉电阻并将这些输入钳位连接到T5的漏极引脚 十一、动态制动H桥为了激活制动力能，至少需要三个输入钳位（X 1、X 2和PWM）。 当通过H桥开关电动汽车的电机时，必须考虑反激二极管的另一个影响：由于惯性，如果不再向电机提供动力，车辆不会立即停止。电机继续旋转并开始作为发电机运行。 由此产生的感应电压的极性与预先施加到电机上的电压的极性相同。流经反激二极管和电机绕组的电流现在正在减慢车辆的速度，请记住机械能会转化为电能。这些过程称为动态制动。 所产生的电力的一部分作为热量消散在反激二极管和电机电线中，而其余部分则返回到电源线。需要更复杂的电路来安全地返回所产生的电力到车辆的电池，这称为再生制动。 没有反激二极管，动态制动可以由 H 桥控制：如果所有晶体管都“关闭”，则没有电流流过电机的绕组，因此车轮会旋转，而不会因动态而减慢速度制动。 当然，必须考虑感应电压的峰值。要激活动态制动过程，必须“打开”两个低侧或两个高侧 MOSFET。 现在，电机的夹具之间存在一条导电路径，车辆在发电时会主动减速。电力在晶体管和电机电线中以热量的形式耗散，这就是为什么这种制动被称为变阻制动。 变阻制动。 十二、N沟道 MOS管H桥p 沟道 MOSFET 的主要载流子是空穴，其迁移率低于电子（n 沟道类型内部的主要载流子）。因此，假设器件尺寸相同，p 沟道 MOSFET 的导通电阻通常高于 n 沟道 MOSFET 的导通电阻。 为了最大限度地减少 H 桥消耗的功率，可以使用四个 n 沟道 MOSFET，而不是在低压侧使用两个 n 沟道类型和在高压侧使用两个 p 沟道类型。 N沟道 MOS管H桥 假设电路连接到输出为 +12V 的电源。X 3接地，因此T 3被“关闭”。X 4连接到+12V，因此T 4被“接通”。右侧中点电位接近0V。 左半桥的情况很棘手：X 2接地，因此 T 2被“关闭”。X 1连接到+12V，那么T 1的源极和栅极之间的电位是多少？ 如果 T 1“接通”时，左半桥中点的电位约为 12V。因此T 1的源极和栅极之间的差值接近0V，使T 1 “关闭”。如果T 1和T 2都“关闭”，则中点处的电势将约为+6V，导致T 1处的源极栅极电压为6V ，这足以将这些器件“打开”。所以真相是在两个极值之间。 如果n沟道MOSFET的阈值电压约为2V，则系统将在T 1部分“导通” 时在中点趋向于约10V的电势。 T 为了能够完全“导通”T 1，高端 MOS管 的栅极引脚处的电位高于 14V（12V + 2V 阈值），因此需要第二个电源。驱动 MOS管的电路比高端 p 沟道 MOSFET 组成的 H 桥更复杂。 完全“导通”T 1，连接第二个电源 标签：
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